Výrobca Číslo produktu:
IXFA22N60P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA22N60P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
12821037
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA22N60P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
390mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCB11N60TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
135
ČÍSLO DIELU
FCB11N60TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB18N60DM2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2125
ČÍSLO DIELU
STB18N60DM2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFX50N50
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
MMIX1T550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
IXTH02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
