Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IXFQ12N80P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFQ12N80P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
Online RFQ
12819122
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFQ12N80P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXFQ12
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQA13N80-F109
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
76
ČÍSLO DIELU
FQA13N80-F109-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.65
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW10NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
STW10NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT11F80B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT11F80B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW12NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STW12NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.74
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP90N055T
MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
IXTA14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A TO263
IXFR15N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
IXFR58N20
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247