Výrobca Číslo produktu:
IXFX30N110P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX30N110P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 1100 V 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12818940
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX30N110P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
360mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
960W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STWA20N95K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
400
ČÍSLO DIELU
STWA20N95K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.72
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO247
IXTT40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO268
IXFP20N85X
MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
