Výrobca Číslo produktu:
IXTX120N65X2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTX120N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12820660
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTX120N65X2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXTX120
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SCT3022ALGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1695
ČÍSLO DIELU
SCT3022ALGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
36.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFV36N50PS
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS-220SMD
IXFE180N10
MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
IXFN50N120SIC
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
