Výrobca Číslo produktu:
ATP114-TL-H
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
ATP114-TL-H-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventár:
12921908
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
ATP114-TL-H Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
55A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4000 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
ATPAK
Balenie / puzdro
ATPAK (2 Leads+Tab)
Základné číslo produktu
ATP114
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
ATP114-TL-HOSDKR
ATP114-TL-HOSTR
ATP114-TL-H-DG
ATP114-TL-HOSCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2000
ČÍSLO DIELU
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
NTB5605P
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
