FCH190N65F-F085
Výrobca Číslo produktu:

FCH190N65F-F085

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FCH190N65F-F085-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventár:

12850161
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FCH190N65F-F085 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
SuperFET® II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3181 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
FCH190

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
2832-FCH190N65F-F085-488
FCH190N65F_F085-DG
FCH190N65F_F085
2832-FCH190N65F-F085

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPW60R180C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
218
ČÍSLO DIELU
IPW60R180C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.58
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60AE-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60AE-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT34M60B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT34M60B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.84
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK20N60W,S1VF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15
ČÍSLO DIELU
TK20N60W,S1VF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.88
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FQP50N06

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6448L

MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AO3435

MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L

alpha-and-omega-semiconductor

AON6510

MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN