Výrobca Číslo produktu:
FDB12N50TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDB12N50TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
1 Ks Nové Originálne Na Sklade
12921893
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDB12N50TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
UniFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1315 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FDB12N50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFA12N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
298
ČÍSLO DIELU
IXFA12N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.82
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTA12N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXTA12N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
