Výrobca Číslo produktu:
FDD8796
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDD8796-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
418 Ks Nové Originálne Na Sklade
12851412
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDD8796 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2610 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
88W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FDD879
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDD8796CT
FDD8796TR
FDD8796DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVD4C05NT4G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NVD4C05NT4G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PJD80N03_L2_00001
VÝROBCA
Panjit International Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
PJD80N03_L2_00001-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI2304-TP
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
R6509ENJTL
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
