Výrobca Číslo produktu:
FDD8876
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDD8876-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
8387 Ks Nové Originálne Na Sklade
12849524
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDD8876 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 73A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FDD887
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FDD8876-DG
FDD8876DKR
FDD8876CT
FDD8876TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD30N03S4L09ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
48073
ČÍSLO DIELU
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPD090N03LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
94138
ČÍSLO DIELU
IPD090N03LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
AOT12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
FDD9407_SN00283
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
