Výrobca Číslo produktu:
FDMA291P
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDMA291P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventár:
40 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847525
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDMA291P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.4W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-MicroFET (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
FDMA291
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDMA291PDKR
FDMA291PCT
FDMA291PTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
PMPB33XP,115
VÝROBCA
NXP USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31498
ČÍSLO DIELU
PMPB33XP,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.08
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMP2066UFDE-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1918
ČÍSLO DIELU
DMP2066UFDE-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS9412A
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
NTD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
