Výrobca Číslo produktu:
FDP10N60NZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDP10N60NZ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12838468
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDP10N60NZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UniFET-II™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1475 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
185W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FDP10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP4N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
232
ČÍSLO DIELU
IXTP4N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.12
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP9N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20
ČÍSLO DIELU
STP9N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOT10N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
769
ČÍSLO DIELU
AOT10N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FCPF190N60-F152
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
