Výrobca Číslo produktu:
FDS8947A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDS8947A-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12839680
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDS8947A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
52mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
730pF @ 15V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
FDS89
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SH8J62TB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10202
ČÍSLO DIELU
SH8J62TB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDPC3D5N025X9D
MOSFET 2N-CH 25V 74A 12QFN
FDR8308P
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
FDG6301N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
