Výrobca Číslo produktu:
FDY100PZ
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FDY100PZ-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventár:
14832 Ks Nové Originálne Na Sklade
12851043
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FDY100PZ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
PowerTrench®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
100 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
625mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SC-89-3
Balenie / puzdro
SC-89, SOT-490
Základné číslo produktu
FDY100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
FDY100PZTR
FDY100PZCT
FDY100PZDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI1013X-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20598
ČÍSLO DIELU
SI1013X-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.11
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDY102PZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
71863
ČÍSLO DIELU
FDY102PZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.07
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS6612A
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
FQAF17N40
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
