FQI47P06TU

Výrobca Číslo produktu:

FQI47P06TU

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQI47P06TU-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK

Podrobný popis:

P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventár:

Online RFQ

12848516

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQI47P06TU Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

47A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

26mOhm @ 23.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±25V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

3600 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.75W (Ta), 160W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-262 (I2PAK)

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Základné číslo produktu

FQI4

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NTHS4501NT1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

onsemi

FDB8132_F085

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

onsemi

FDP39N20

MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3

onsemi

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3