Výrobca Číslo produktu:
IRFP150A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
IRFP150A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 193W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventár:
12849378
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFP150A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2270 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
193W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PN
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IRFP150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQA70N10
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
66
ČÍSLO DIELU
FQA70N10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5608
ČÍSLO DIELU
2SK1317-E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.29
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTQ48N20T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ48N20T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.75
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP096N03L G
MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3
FQP13N06L
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
AOT66916L
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220