Výrobca Číslo produktu:
NVMD6N03R2G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMD6N03R2G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12847844
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMD6N03R2G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
950pF @ 24V
Výkon - Max
1.29W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
NVMD6
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-NVMD6N03R2G-ONTR
ONSONSNVMD6N03R2G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLJD3183CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
FDMA1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET