Výrobca Číslo produktu:
NVMJS1D7N04CTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMJS1D7N04CTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 3.8W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventár:
2938 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846643
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMJS1D7N04CTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Ta), 185A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 130µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 106W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-LFPAK
Balenie / puzdro
SOT-1205, 8-LFPAK56
Základné číslo produktu
NVMJS1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NVMJS1D7N04CTWG-DG
488-NVMJS1D7N04CTWGCT
488-NVMJS1D7N04CTWGTR
488-NVMJS1D7N04CTWGDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMJS1D7N04CTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2938
ČÍSLO DIELU
NVMJS1D7N04CTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO4771
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
FQA10N80
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
HUFA76407P3
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
