Výrobca Číslo produktu:
STB25NM60N-1
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STB25NM60N-1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventár:
12877561
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STB25NM60N-1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I2PAK
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
497-5730
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK20G60W,RVQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK20G60W,RVQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
250
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.56
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHB22N60AE-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHB22N60AE-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.63
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STW23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
STFI20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
STI6N95K5
NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
