Výrobca Číslo produktu:
STD11N60M2-EP
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STD11N60M2-EP-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12877097
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STD11N60M2-EP Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
-
Seriál
MDmesh™ M2-EP
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.75V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
390 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
85W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
STD11
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
497-16936-2
-1138-STD11N60M2-EPTR
497-16936-1
-1138-STD11N60M2-EPDKR
497-16936-6
-1138-STD11N60M2-EPCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTY8N70X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
49
ČÍSLO DIELU
IXTY8N70X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTY8N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20
ČÍSLO DIELU
IXTY8N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.22
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
