Výrobca Číslo produktu:
STU10NM60N
Product Overview
Výrobca:
STMicroelectronics
Číslo dielu:
STU10NM60N-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
2990 Ks Nové Originálne Na Sklade
12875819
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
STU10NM60N Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
STMicroelectronics
Balenie
Tube
Seriál
MDmesh™ II
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
540 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
STU10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
STU10NM60N-DG
497-12692-5-DG
497-12692-5
497-STU10NM60N
-497-12692-5
-497-12692-5-DG
-1138-STU10NM60N
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
STL22N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
STW74NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
