Výrobca Číslo produktu:
2SK3700(F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
2SK3700(F)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 5A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventár:
122 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890167
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK3700(F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
2SK3700
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK20N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
