RN2412TE85LF
Výrobca Číslo produktu:

RN2412TE85LF

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

RN2412TE85LF-DG

Popis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventár:

3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891350
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

RN2412TE85LF Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
22 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200 MHz
Výkon - Max
200 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zariadení dodávateľa
S-Mini
Základné číslo produktu
RN2412

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2412TE85LFCT
RN2412TE85LF-DG
RN2412(TE85L,F)
RN2412TE85LFTR
RN2412TE85LFDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1317(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2318(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1109,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM