Výrobca Číslo produktu:
RN2602(TE85L,F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
RN2602(TE85L,F)-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventár:
12889496
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RN2602(TE85L,F) Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Bipolárne tranzistorové matice, predskladané
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50V
Rezistor - základňa (R1)
10kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - Prechod
200MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-74, SOT-457
Balík zariadení dodávateľa
SM6
Základné číslo produktu
RN2602
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
RN2602(TE85LF)DKR
RN2602(TE85LF)CT
RN2602(TE85LF)TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IMB11AT110
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4150
ČÍSLO DIELU
IMB11AT110-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RN2902FE,LF(CT
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3990
ČÍSLO DIELU
RN2902FE,LF(CT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6