TK12A53D(STA4,Q,M)
Výrobca Číslo produktu:

TK12A53D(STA4,Q,M)

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK12A53D(STA4,Q,M)-DG

Popis:

MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventár:

12890027
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TK12A53D(STA4,Q,M) Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
580mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK12A53

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFIB7N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
813
ČÍSLO DIELU
IRFIB7N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.31
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF13NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1883
ČÍSLO DIELU
STF13NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.06
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQPF13N50CF
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
719
ČÍSLO DIELU
FQPF13N50CF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDPF12N50NZ
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
FDPF12N50NZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.93
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R5011FNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R5011FNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K122TU,LF

MOSFET N-CH 20V 2A UFM

vishay-siliconix

TN0200K-T1-E3

MOSFET N-CH 20V SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3564(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS