Výrobca Číslo produktu:
TK1K9A60F,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK1K9A60F,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12891425
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK1K9A60F,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSIX
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 400µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
490 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK1K9A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK1K9A60FS4X(S
TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP5NK80ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
943
ČÍSLO DIELU
STP5NK80ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.03
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCPF2250N80Z
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
360
ČÍSLO DIELU
FCPF2250N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.39
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
