Výrobca Číslo produktu:
TK33S10N1Z,LQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK33S10N1Z,LQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventár:
1940 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889506
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
o5Ju
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK33S10N1Z,LQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2050 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK+
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK33S10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TK33S10N1ZLQTR
TK33S10N1ZLQCT
TK33S10N1ZLQDKR
TK33S10N1Z,LQ(O
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD80N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
STD80N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM