Výrobca Číslo produktu:
TK3R1A04PL,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK3R1A04PL,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
61 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889778
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK3R1A04PL,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
82A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4670 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK3R1A04
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK3R1A04PLS4X
TK3R1A04PL,S4X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
