Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK4A53D(STA4,Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK4A53D(STA4,Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 525 V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
Online RFQ
12890710
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK4A53D(STA4,Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
525 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
490 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK4A53
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK4A53D
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK4A53D(STA4QM)
TK4A53DSTA4QM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDPF5N50FT
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
58950
ČÍSLO DIELU
FDPF5N50FT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.85
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQPF5N50CYDTU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
34713
ČÍSLO DIELU
FQPF5N50CYDTU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RJK5030DPP-M0#T2
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1485
ČÍSLO DIELU
RJK5030DPP-M0#T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFI830GPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
795
ČÍSLO DIELU
IRFI830GPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK5A53D(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
50
ČÍSLO DIELU
TK5A53D(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8066-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
TK4R3A06PL,S4X
MOSFET N-CH 60V 68A TO220SIS
TK39J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON