Výrobca Číslo produktu:
TK50E06K3A,S1X(S
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK50E06K3A,S1X(S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12889730
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK50E06K3A,S1X(S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSIV
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK50E06
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK33S10N1L,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1997
ČÍSLO DIELU
TK33S10N1L,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.70
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB3607PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3741
ČÍSLO DIELU
IRFB3607PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP55NF06
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
38324
ČÍSLO DIELU
STP55NF06-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD