Výrobca Číslo produktu:
TK72E08N1,S1X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK72E08N1,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 72A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 72A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
29 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889500
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK72E08N1,S1X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
72A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5500 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
192W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK72E08
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK72E08N1S1X
TK72E08N1,S1X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDP039N08B-F102
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
399
ČÍSLO DIELU
FDP039N08B-F102-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.37
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
