Výrobca Číslo produktu:
IRF820PBF-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF820PBF-BE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12972448
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF820PBF-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF820
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
742-IRF820PBF-BE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF820PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1744
ČÍSLO DIELU
IRF820PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJW5P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4414P_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
G01N20LE
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
