Výrobca Číslo produktu:
SI3473DV-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3473DV-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 5.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12917786
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3473DV-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3473
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RAQ045P01TCR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7835
ČÍSLO DIELU
RAQ045P01TCR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI3473CDV-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1970
ČÍSLO DIELU
SI3473CDV-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.21
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC606P
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FDC606P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.30
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHG25N60EFL-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
SIHP14N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
