Výrobca Číslo produktu:
SIHG33N65E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHG33N65E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventár:
12917791
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHG33N65E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4040 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
313W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AC
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
SIHG33
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SIHG33N65E-GE3CT
SIHG33N65E-GE3DKR-DG
SIHG33N65E-GE3TR
SIHG33N65E-GE3TR-DG
SIHG33N65E-GE3DKR
SIHG33N65E-GE3CT-DG
SIHG33N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHG33N65E-GE3TRINACTIVE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SPW32N50C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
245
ČÍSLO DIELU
SPW32N50C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.28
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW34N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6
ČÍSLO DIELU
STW34N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTH32N65X
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTH32N65X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.96
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCH104N60F-F085
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
86
ČÍSLO DIELU
FCH104N60F-F085-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.01
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STW33N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
98
ČÍSLO DIELU
STW33N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.48
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHP14N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SQM40014EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
