Výrobca Číslo produktu:
SI4058DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4058DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12918412
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4058DY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
690 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4058
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4058DY-T1-GE3DKR
SI4058DY-T1-GE3TR
SI4058DY-T1-GE3-DG
SI4058DY-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1G300GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16767
ČÍSLO DIELU
RS1G300GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
