Výrobca Číslo produktu:
SI4104DY-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4104DY-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 4.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12912858
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4104DY-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
446 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4104
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4104DY-T1-GE3TR
SI4104DYT1GE3
SI4104DY-T1-GE3CT
SI4104DY-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4100DY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7295
ČÍSLO DIELU
SI4100DY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS86106
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4904
ČÍSLO DIELU
FDS86106-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFD010
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
SI7366DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
