Výrobca Číslo produktu:
SI4408DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4408DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
5837 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918407
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4408DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4408
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4408DY-T1-E3TR
SI4408DYT1E3
SI4408DY-T1-E3CT
SI4408DY-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIE808DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUP45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
