SI4408DY-T1-E3
Výrobca Číslo produktu:

SI4408DY-T1-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI4408DY-T1-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

5837 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918407
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI4408DY-T1-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4408

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4408DY-T1-E3TR
SI4408DYT1E3
SI4408DY-T1-E3CT
SI4408DY-T1-E3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIE808DF-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SUP45P03-09-GE3

MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB

vishay-siliconix

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

onsemi

NTB90N02T4

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK