SI7868ADP-T1-E3
Výrobca Číslo produktu:

SI7868ADP-T1-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI7868ADP-T1-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

2827 Ks Nové Originálne Na Sklade
12916267
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI7868ADP-T1-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6110 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7868

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7868ADP-T1-E3-DG
SI7868ADP-T1-E3TR
SI7868ADP-T1-E3CT
SI7868ADP-T1-E3DKR
SI7868ADPT1E3

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
RS1E350BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
810
ČÍSLO DIELU
RS1E350BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1E321GNTB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4800
ČÍSLO DIELU
RS1E321GNTB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.91
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1E280BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35014
ČÍSLO DIELU
RS1E280BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS3E095BNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
RS3E095BNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RXH070N03TB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2498
ČÍSLO DIELU
RXH070N03TB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIA437DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70

vishay-siliconix

SUM47N10-24L-E3

MOSFET N-CH 100V 47A TO263

vishay-siliconix

SI2365EDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236

vishay-siliconix

SQM40022EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7