Výrobca Číslo produktu:
SI7940DP-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7940DP-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8
Podrobný popis:
Mosfet Array 12V 7.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventár:
12916966
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7940DP-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.4W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8 Dual
Základné číslo produktu
SI7940
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI7234DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
17093
ČÍSLO DIELU
SI7234DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIZ728DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
SI7222DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI5904DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
