SIHB180N60E-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB180N60E-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB180N60E-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ
12786768
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB180N60E-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Bulk
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1085 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
156W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB180

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIHB180N60E-GE3-DG
Technické listy
SIHB180N60E-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHB180N60E-GE3DKR-DG
SIHB180N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHB180N60E-GE3CT
SIHB180N60E-GE3TR
SIHB180N60E-GE3CTINACTIVE
SIHB180N60E-GE3DKR
SIHB180N60E-GE3TR-DG
SIHB180N60E-GE3CT-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
R6024ENJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
831
ČÍSLO DIELU
R6024ENJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB28N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STB28N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB65R150CFDAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1192
ČÍSLO DIELU
IPB65R150CFDAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.90
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R165CPATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3135
ČÍSLO DIELU
IPB60R165CPATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.21
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIRC06DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

vishay-siliconix

SIR670DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8