Výrobca Číslo produktu:
SIR606DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR606DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
2885 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786785
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR606DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
37A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.6V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 6 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1360 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
44.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR606
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR606DP-T1-GE3CT
SIR606DP-T1-GE3TR
SIR606DP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1G300GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16767
ČÍSLO DIELU
RS1G300GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHA24N65EF-E3
MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220
SIS108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
