SIHB24N65ET5-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIHB24N65ET5-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHB24N65ET5-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

Online RFQ
12786485
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHB24N65ET5-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2740 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB24

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIHB24N65ET5-GE3-DG
Technické listy
SIHB24N65ET5-GE3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
250
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.56
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
R6020ENJTL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9101
ČÍSLO DIELU
R6020ENJTL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPB20N60C3ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4719
ČÍSLO DIELU
SPB20N60C3ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB65R190CFDAATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
256
ČÍSLO DIELU
IPB65R190CFDAATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIS454DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIRA18DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8