Výrobca Číslo produktu:
SIHLL110TR-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHLL110TR-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventár:
2326 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786730
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHLL110TR-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4V, 5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
SIHLL110
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
742-SIHLL110TR-GE3TR
742-SIHLL110TR-GE3DKR
742-SIHLL110TR-GE3CT
SIHLL110TR-GE3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLL110TRPBF-BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8033
ČÍSLO DIELU
IRLL110TRPBF-BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRLL110TRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15402
ČÍSLO DIELU
IRLL110TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI8816EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
SIR472DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
