Výrobca Číslo produktu:
SIR688DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIR688DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12921024
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIR688DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.7V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3105 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR688
Technické údaje a dokumenty
Výkresy produktov
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR688DP-T1-GE3DKR
SIR688DP-T1-GE3-DG
SIR688DP-T1-GE3TR
SIR688DP-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1003
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHU7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
SIHP24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
