SIR846ADP-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SIR846ADP-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIR846ADP-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

12916841
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIR846ADP-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2350 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR846

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR846ADP-T1-GE3TR
SIR846ADP-T1-GE3DKR
SIR846ADPT1GE3
SIR846ADP-T1-GE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1173
ČÍSLO DIELU
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL100N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
88704
ČÍSLO DIELU
STL100N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1003
ČÍSLO DIELU
RS1L145GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
CSD19531Q5AT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6402
ČÍSLO DIELU
CSD19531Q5AT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.84
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI1031R-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A

vishay-siliconix

SI1413DH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

vishay-siliconix

SI4386DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

SI7414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8