Výrobca Číslo produktu:
SUD50P10-43-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD50P10-43-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12787003
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD50P10-43-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
43mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5230 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-50°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SUD50P10-43L-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4019
ČÍSLO DIELU
SUD50P10-43L-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
SIHP21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
