Výrobca Číslo produktu:
SI2304BDS-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2304BDS-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
26830 Ks Nové Originálne Na Sklade
13061189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2304BDS-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
225 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
750mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2304
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI2304BDS-T1-E3CT
SI2304BDS-T1-E3TR
SI2304BDS-T1-E3DKR
SI2304BDST1E3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ1A070ZPTR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5232
ČÍSLO DIELU
RQ1A070ZPTR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.41
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B14FTA
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
240982
ČÍSLO DIELU
ZXMN3B14FTA-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AO3406
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
128714
ČÍSLO DIELU
AO3406-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.06
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI2304BDS-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
65573
ČÍSLO DIELU
SI2304BDS-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
DMN3110S-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
14382
ČÍSLO DIELU
DMN3110S-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQP25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
