Výrobca Číslo produktu:
SUD50N04-16P-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD50N04-16P-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 9.8A (Ta), 20A (Tc) 3.1W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
13009298
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD50N04-16P-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.8A (Ta), 20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1655 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD44N4LF6
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5443
ČÍSLO DIELU
STD44N4LF6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SUD50N04-8M8P-4GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1480
ČÍSLO DIELU
SUD50N04-8M8P-4GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
