Výrobca Číslo produktu:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SUD50N04-8M8P-4GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
1480 Ks Nové Originálne Na Sklade
12918959
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SUD50N04-8M8P-4GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SUD50N04-8M8P-GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3CT-DG
SUD50N04-8M8P-4GE3CT
SUD50N04-8M8P-GE3TR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR-DG
SUD50N048M8P4GE3
SUD50N04-8M8P-GE3TR-DG
SUD50N04-8M8P-4GE3DKR
SUD50N04-8M8P-GE3DKR
SUD50N04-8M8P-4GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S4L08ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
23056
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S4L08ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFR3504ZTRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13404
ČÍSLO DIELU
IRFR3504ZTRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S410ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4918
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S410ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S408ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6609
ČÍSLO DIELU
IPD50N04S408ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD8647L
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5438
ČÍSLO DIELU
FDD8647L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI5432DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
SI4362BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 29A 8SO
SQ4182EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
