FDD8451

Výrobca Číslo produktu:

FDD8451

Product Overview

Výrobca:

Fairchild Semiconductor

Číslo dielu:

FDD8451-DG

Popis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Podrobný popis:

N-Channel 40 V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventár:

17802 Ks Nové Originálne Na Sklade

12946478

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FDD8451 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Balenie

Bulk

Seriál

PowerTrench®

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

40 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9A (Ta), 28A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

990 pF @ 20 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

30W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252 (DPAK)

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

766

Iné mená

2156-FDD8451

FAIFSCFDD8451

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

fairchild-semiconductor

FDP8441

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9