Výrobca Číslo produktu:
TK15J60U(F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK15J60U(F)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Ta) 170W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventár:
12890162
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK15J60U(F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
DTMOSII
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
950 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
TK15J60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK15J60UF
TK15J60U(F)-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP28N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
932
ČÍSLO DIELU
STP28N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3700(F)
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
TK20N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
